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IPD78CN10NGATMA1

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MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

compliant

IPD78CN10NGATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.32905 -
5,000 $0.30636 -
12,500 $0.29501 -
25,000 $0.28882 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 78mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 12µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 716 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 31W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IPP039N10N5AKSA1
TK31Z60X,S1F
UF3C065080K4S
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APT53F80J
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STL100N6LF6
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$0 $/ピース
FCB11N60TM
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AOTF600A70FL
SIHG24N65EF-GE3
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FQI7N80TU
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$0 $/ピース

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