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IPD80R1K4CEBTMA1

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MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

非準拠

IPD80R1K4CEBTMA1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.52788 -
5,000 $0.50464 -
12,500 $0.48804 -
25,000 $0.47476 -
62,500 $0.46148 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.9V @ 240µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 570 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 63W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3-11
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

PMR280UN,115
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$0 $/ピース
FDPF79N15
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$0 $/ピース
RFP14N05
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$0 $/ピース
BUK9832-55A,115
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$0 $/ピース
TSM4N60ECH C5G
AO4435L
IPP050N06N G
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AUIRLR2703
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IRFH7107TRPBF
RSS080N05FU6TB
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$0 $/ピース

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