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IPD80R2K8CEBTMA1

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MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

非準拠

IPD80R2K8CEBTMA1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.39861 -
5,000 $0.38107 -
12,500 $0.36853 -
25,000 $0.35850 -
62,500 $0.34847 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.9V @ 120µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 290 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 42W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3-11
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IRLS3034-7PPBF
IRLR4343TRR
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$0 $/ピース
NTB75N03-06T4
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FDMS86568-F085
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$0 $/ピース
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NTDV6414ANT4G
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$0 $/ピース
IRFSL4310ZPBF
SI7866ADP-T1-E3
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$0 $/ピース
HAT2287WP-EL-E
SI3434DV-T1-E3
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