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IPD80R3K3P7ATMA1

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MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

compliant

IPD80R3K3P7ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.36360 -
5,000 $0.34120 -
12,500 $0.32999 -
25,000 $0.32388 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.3Ohm @ 590mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 30µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 120 pF @ 500 V
FET機能 -
消費電力(最大) 18W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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TPIC5223LD
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SIL08N03-TP
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NTLJS3D0N02P8ZTAG
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