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IPDD60R080G7XTMA1

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MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10

非準拠

IPDD60R080G7XTMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,700 $3.73552 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 29A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 80mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 490µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1640 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 174W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-HDSOP-10-1
パッケージ/ケース 10-PowerSOP Module
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