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IPG20N04S409AATMA1

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N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

IPG20N04S409AATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
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2000 $0 $0
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A (Tc)
rds オン (最大) @ id、vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 22µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 28nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2250pF @ 25V
パワー - 最大 54W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8-4
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関連部品番号

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