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IPG20N06S4L26AATMA1

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MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

非準拠

IPG20N06S4L26AATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.42705 -
10,000 $0.41100 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A
rds オン (最大) @ id、vgs 26mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 10µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1430pF @ 25V
パワー - 最大 33W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount, Wettable Flank
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8-10
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