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IPI023NE7N3G

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IPI023NE7N3G

N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

IPI023NE7N3G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.11000 $2.11
500 $2.0889 $1044.45
1000 $2.0678 $2067.8
1500 $2.0467 $3070.05
2000 $2.0256 $4051.2
2500 $2.0045 $5011.25
5746 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 75 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.8V @ 273µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 206 nC @ 10 V
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds 14400 pF @ 37.5 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO262-3
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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関連部品番号

DMP3097LQ-7
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CSD17307Q5A
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FDD6632
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FQP27P06
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STB120N4LF6
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MSC015SMA070S
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NDS7002A
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NVMFS4C05NWFT1G
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