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IPI030N10N3GXKSA1

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MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

compliant

IPI030N10N3GXKSA1 価格と注文

単価 外貨価格
500 $3.35874 $1679.37
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Last Time Buy
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 275µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 206 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 14800 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO262-3
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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