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IPI076N12N3GAKSA1

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MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3

非準拠

IPI076N12N3GAKSA1 価格と注文

単価 外貨価格
500 $1.84500 $922.5
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 120 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 130µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 101 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6640 pF @ 60 V
FET機能 -
消費電力(最大) 188W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO262-3
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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関連部品番号

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SQJ459EP-T1_BE3
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