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IPI60R299CP

IPI60R299CP

IPI60R299CP

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

IPI60R299CP 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.20000 $1.2
500 $1.188 $594
1000 $1.176 $1176
1500 $1.164 $1746
2000 $1.152 $2304
2500 $1.14 $2850
8500 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 440µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1100 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 96W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO262-3-1
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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関連部品番号

SQJ858AEP-T1_GE3
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$0 $/ピース
P3M06040K3
DMN2058UW-13
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$0 $/ピース
RSJ800N06TL
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$0 $/ピース
IPP084N06L3GXKSA1
IPI072N10N3 G
BUK964R2-60E,118
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$0 $/ピース
BSH202,215
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$0 $/ピース
NTE2379
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$0 $/ピース
MCU90N06A-TP
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$0 $/ピース

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