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IPL60R065C7AUMA1

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MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPL60R065C7AUMA1 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $4.31860 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 29A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 65mOhm @ 15.9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 800µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2850 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 180W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-VSON-4-1
パッケージ/ケース 4-PowerTSFN
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関連部品番号

BUK661R8-30C,118
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$0 $/ピース
HUF75842S3ST
SIHG460B-GE3
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$0 $/ピース
IRFU9120PBF
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$0 $/ピース
SPW15N60CFDFKSA1
IPP60R190P6XKSA1
SISA72ADN-T1-GE3
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AOTF260L
FDPF045N10A
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$0 $/ピース
SPB11N60C3ATMA1

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