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IPL60R2K1C6SATMA1

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MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK

非準拠

IPL60R2K1C6SATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.30000 $0.3
500 $0.297 $148.5
1000 $0.294 $294
1500 $0.291 $436.5
2000 $0.288 $576
2500 $0.285 $712.5
176342 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.1Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 60µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 140 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 21.6W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TSON-8-2
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

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STFU23N80K5
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IXFR44N80P
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FDMS7660
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IRF3007PBF
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PMPB12UN,115
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