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IPN50R3K0CEATMA1

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MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223

compliant

IPN50R3K0CEATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.16842 -
6,000 $0.15918 -
15,000 $0.14994 -
30,000 $0.13885 -
75,000 $0.13423 -
892 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 13V
rds オン (最大) @ id、vgs 3Ohm @ 400mA, 13V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 30µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 84 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-SOT223-3
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

2SK1637-E
FDMS8350LET40
SIHA105N60EF-GE3
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$0 $/ピース
DMTH8012LPS-13
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NVBLS1D1N08H
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$0 $/ピース
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APTM100SK33T1G
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SI3459BDV-T1-BE3
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