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IPN50R800CEATMA1

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MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223

compliant

IPN50R800CEATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.27269 -
6,000 $0.25686 -
15,000 $0.24103 -
30,000 $0.22995 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 13V
rds オン (最大) @ id、vgs 800mOhm @ 1.5A, 13V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 130µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 280 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-SOT223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

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