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IPN60R360P7SATMA1

IPN60R360P7SATMA1

IPN60R360P7SATMA1

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223

compliant

IPN60R360P7SATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.47090 -
6,000 $0.44995 -
15,000 $0.43498 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 360mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 140µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 555 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 7W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-SOT223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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