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IPN70R600P7SATMA1

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MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

compliant

IPN70R600P7SATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.31709 -
6,000 $0.29522 -
15,000 $0.28428 -
30,000 $0.27832 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 700 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 600mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 90µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 364 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.9W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-SOT223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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