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IPP06CNE8N G

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MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3

非準拠

IPP06CNE8N G 価格と注文

単価 外貨価格
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2500 $0 $0
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 85 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 180µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 138 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9240 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 214W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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