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IPS80R1K4P7AKMA1

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MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3

compliant

IPS80R1K4P7AKMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,500 $0.46893 -
3100 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 700µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 32W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO251-3-11
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
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関連部品番号

PMCM6501VPE/S500Z
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NVMYS2D9N04CLTWG
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$0 $/ピース
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NTD4858NA-35G
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DMN2991UT-7
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