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IPT60R150G7XTMA1

IPT60R150G7XTMA1

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MOSFET N-CH 650V 17A 8HSOF

compliant

IPT60R150G7XTMA1 価格と注文

単価 外貨価格
2,000 $1.89781 -
1073 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 17A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 150mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 260µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 902 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 106W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-HSOF-8-2
パッケージ/ケース 8-PowerSFN
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