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IPU60R1K4C6BKMA1

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MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3

非準拠

IPU60R1K4C6BKMA1 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 90µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 200 pF @ 100 V
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 28.4W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 155°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO251-3
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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