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IPW60R190P6

IPW60R190P6

IPW60R190P6

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

compliant

IPW60R190P6 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 190mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 630µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1750 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 151W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO247
パッケージ/ケース TO-247-3
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