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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
駆動構成 | High-Side or Low-Side |
チャンネルタイプ | Single |
ドライバーの数 | 1 |
ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET |
電圧 - 供給 | 9V ~ 20V |
ロジック電圧 - vil、vih | 0.8V, 3V |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 250mA, 500mA |
入力タイプ | Non-Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 600 V |
上昇/下降時間(標準) | 80ns, 40ns |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Through Hole |
パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PDIP |
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