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IRF200B211

IRF200B211

IRF200B211

MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB

compliant

IRF200B211 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.16000 $1.16
10 $1.02300 $10.23
100 $0.80850 $80.85
500 $0.62700 $313.5
1,000 $0.49500 -
458 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 170mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.9V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 790 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 80W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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