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IRF60R217

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MOSFET N-CH 60V 58A DPAK

IRF60R217 データシート

compliant

IRF60R217 価格と注文

単価 外貨価格
2,000 $0.77210 -
6,000 $0.73773 -
10,000 $0.71319 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 58A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 9.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.7V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2170 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D-PAK (TO-252AA)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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