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IRF6603

IRF6603

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MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

IRF6603 データシート

compliant

IRF6603 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 27A (Ta), 92A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 72 nC @ 4.5 V
vgs (最大) +20V, -12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6590 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.6W (Ta), 42W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DIRECTFET™ MT
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric MT
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MTD6N20ET4
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NVGS3443T1G
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