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IRF7807VD1

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MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

非準拠

IRF7807VD1 価格と注文

単価 外貨価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.3A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) 2.5W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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