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IRFH6200TRPBF

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MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN

compliant

IRFH6200TRPBF 価格と注文

単価 外貨価格
4,000 $0.87100 -
8,000 $0.84240 -
12,000 $0.82680 -
11922 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 49A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 0.95mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.1V @ 150µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 230 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 10890 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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