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IRFSL3206PBF

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MOSFET N-CH 60V 120A TO262

非準拠

IRFSL3206PBF 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.52530 -
1250 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 150µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6540 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-262
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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