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IRLHM630TR2PBF

IRLHM630TR2PBF

IRLHM630TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

compliant

IRLHM630TR2PBF 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 21A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.1V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 62 nC @ 4.5 V
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds 3170 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PQFN (3x3)
パッケージ/ケース 8-VQFN Exposed Pad
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