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ISC019N04NM5ATMA1

ISC019N04NM5ATMA1

ISC019N04NM5ATMA1

40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

compliant

ISC019N04NM5ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.87000 $1.87
500 $1.8513 $925.65
1000 $1.8326 $1832.6
1500 $1.8139 $2720.85
2000 $1.7952 $3590.4
2500 $1.7765 $4441.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 29A (Ta), 170A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.4V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3900 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Ta), 100W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8 FL
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

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RRH100P03GZETB
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IRFR9214TRPBF
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