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ISC028N04NM5ATMA1

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ISC028N04NM5ATMA1

40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

非準拠

ISC028N04NM5ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.72000 $1.72
500 $1.7028 $851.4
1000 $1.6856 $1685.6
1500 $1.6684 $2502.6
2000 $1.6512 $3302.4
2500 $1.634 $4085
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 24A (Ta), 121A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.4V @ 30µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2700 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Ta), 75W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8 FL
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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