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SPB80N03S2L-04

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MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

非準拠

SPB80N03S2L-04 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 130µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3900 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 188W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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IRF740LC
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SI7358ADP-T1-GE3
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BUK7509-75A,127
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$0 $/ピース
2N7002K,215
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BUK9Y07-30B,115
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PSMN6R1-25MLD,115

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