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IV1D12010O2

IV1D12010O2

IV1D12010O2

Inventchip

SIC DIODE, 1200V 10A, TO-220-2

compliant

IV1D12010O2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $11.78000 $11.78
500 $11.6622 $5831.1
1000 $11.5444 $11544.4
1500 $11.4266 $17139.9
2000 $11.3088 $22617.6
2500 $11.191 $27977.5
190 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 1200 V
電流 - 平均整流 (io) 28A (DC)
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.8 V @ 10 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 50 µA @ 1200 V
静電容量 @ vr、f 575pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-2
動作温度 - 接合部 -55°C ~ 175°C (TJ)
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関連部品番号

MBR1040HEWS_R1_00001
PMEG045T100EPDZ
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$0 $/ピース
SM5819L2-TP
SM5819L2-TP
$0 $/ピース
NRVTS10100EMFST3G
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$0 $/ピース
BY550-200
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$0 $/ピース
S1D
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$0 $/ピース
DSK34
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$0 $/ピース

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