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IV1Q12160T4

IV1Q12160T4

IV1Q12160T4

Inventchip

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24

非準拠

IV1Q12160T4 価格と注文

単価 外貨価格
1 $19.64000 $19.64
500 $19.4436 $9721.8
1000 $19.2472 $19247.2
1500 $19.0508 $28576.2
2000 $18.8544 $37708.8
2500 $18.658 $46645
111 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 20V
rds オン (最大) @ id、vgs 195mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (最大) @ id 2.9V @ 1.9mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 43 nC @ 20 V
vgs (最大) +20V, -5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 885 pF @ 800 V
FET機能 -
消費電力(最大) 138W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247-4
パッケージ/ケース TO-247-4
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関連部品番号

APT1201R4BLLG
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FCPF600N65S3R0L
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PSMN030-150P,127
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NTMS10P02R2G
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FCPF190N60E
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