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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 1200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 20A (Tc) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 20V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 195mOhm @ 10A, 20V |
vgs(th) (最大) @ id | 2.9V @ 1.9mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 43 nC @ 20 V |
vgs (最大) | +20V, -5V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 885 pF @ 800 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 138W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取り付けタイプ | Through Hole |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-4 |
パッケージ/ケース | TO-247-4 |
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