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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N and P-Channel, Common Drain |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 100V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 54A (Tc), 62A (Tc) |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ id | 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 197nC @ 10V, 104nC @ 10V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V |
| パワー - 最大 | 89W, 132W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | ISOPLUSi5-Pak™ |
| サプライヤーデバイスパッケージ | ISOPLUS i4-PAC™ |
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