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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
駆動構成 | Low-Side |
チャンネルタイプ | Independent |
ドライバーの数 | 2 |
ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
電圧 - 供給 | 4.5V ~ 35V |
ロジック電圧 - vil、vih | 0.8V, 3V |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 2A, 2A |
入力タイプ | Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | - |
上昇/下降時間(標準) | 7.5ns, 6.5ns |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Through Hole |
パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DIP |
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