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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| 駆動構成 | Low-Side |
| チャンネルタイプ | Independent |
| ドライバーの数 | 2 |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 電圧 - 供給 | 4.5V ~ 35V |
| ロジック電圧 - vil、vih | 0.8V, 3V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 2A, 2A |
| 入力タイプ | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | - |
| 上昇/下降時間（標準） | 7.5ns, 6.5ns |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DIP |
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