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IXDN602SIATR

IXDN602SIATR

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IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

非準拠

IXDN602SIATR 価格と注文

単価 外貨価格
2,000 $0.56000 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
駆動構成 Low-Side
チャンネルタイプ Independent
ドライバーの数 2
ゲートタイプ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電圧 - 供給 4.5V ~ 35V
ロジック電圧 - vil、vih 0.8V, 3V
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 2A, 2A
入力タイプ Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) -
上昇/下降時間(標準) 7.5ns, 6.5ns
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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関連部品番号

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