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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
駆動構成 | Low-Side |
チャンネルタイプ | Single |
ドライバーの数 | 1 |
ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
電圧 - 供給 | 4.5V ~ 35V |
ロジック電圧 - vil、vih | 0.8V, 3V |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 9A, 9A |
入力タイプ | Non-Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | - |
上昇/下降時間(標準) | 22ns, 15ns |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC-EP |
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