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IXFA4N100P

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 4A TO263

非準拠

IXFA4N100P 価格と注文

単価 外貨価格
50 $2.31760 $115.88
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1456 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263 (IXFA)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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BSZ086P03NS3GATMA1
IPI70N04S406AKSA1
AOT190A60CL
EFC4612R-TR
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$0 $/ピース
APT12057B2FLLG
DMTH8028LPSWQ-13
FDB6035AL
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$0 $/ピース
SI7336ADP-T1-E3
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$0 $/ピース
FDB7030L
FDB7030L
$0 $/ピース

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