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IXFH22N65X2

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 22A TO247

SOT-23

非準拠

IXFH22N65X2 価格と注文

単価 外貨価格
60 $3.96000 $237.6
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 22A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 160mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5.5V @ 1.5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2310 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 390W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース TO-247-3
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