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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 27A (Tc) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 10V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 320mOhm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 4.5V @ 4mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 170 nC @ 10 V |
vgs (最大) | ±20V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 7600 pF @ 25 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 500W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Through Hole |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-264AA (IXFK) |
パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA |
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