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IXFN120N20

IXFN120N20

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B

compliant

IXFN120N20 価格と注文

単価 外貨価格
1 $28.54000 $28.54
10 $26.40000 $264
30 $24.25900 $727.77
100 $22.54660 $2254.66
250 $20.69152 $5172.88
500 $19.69260 $9846.3
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 17mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 8mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 360 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9100 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 600W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
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