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IXFN180N10

IXFN180N10

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

compliant

IXFN180N10 価格と注文

単価 外貨価格
1 $27.14000 $27.14
10 $25.10500 $251.05
30 $23.06900 $692.07
100 $21.44060 $2144.06
250 $19.67652 $4919.13
500 $18.72660 $9363.3
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 180A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 8mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 360 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9100 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 600W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
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