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IXFN200N10P

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

compliant

IXFN200N10P 価格と注文

単価 外貨価格
10 $19.38000 $193.8
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 200A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.5mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 8mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 235 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 680W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
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関連部品番号

SI7315DN-T1-GE3
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IRF4104PBF
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RQ3E100MNTB1
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STFI13NK60Z
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NTMFS4C06NT3G
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R6076ENZ4C13
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NTMJS1D6N06CLTWG
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