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IXFN20N120P

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IXYS

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

非準拠

IXFN20N120P 価格と注文

単価 外貨価格
10 $34.22500 $342.25
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 570mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 6.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 193 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 11100 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 595W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
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