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IXFN210N20P

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

非準拠

IXFN210N20P 価格と注文

単価 外貨価格
1 $34.80000 $34.8
10 $32.19000 $321.9
30 $29.58000 $887.4
100 $27.49200 $2749.2
250 $25.23000 $6307.5
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 188A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10.5mOhm @ 105A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 8mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 255 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 18600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1070W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
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