ichome.comへようこそ!

logo

IXFN30N120P

IXFN30N120P

IXFN30N120P

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

非準拠

IXFN30N120P 価格と注文

単価 外貨価格
10 $44.01100 $440.11
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 350mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 6.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 310 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 19000 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 890W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

2SK3229-E
AO3434A
FDA28N50F
FDA28N50F
$0 $/ピース
NTB190N65S3HF
NTB190N65S3HF
$0 $/ピース
R6020PNJFRATL
R6020PNJFRATL
$0 $/ピース
SCTH90N65G2V-7
SCTH90N65G2V-7
$0 $/ピース
STD5NM60-1
STD5NM60-1
$0 $/ピース
IRF6619TR1PBF
NTBS2D7N06M7
NTBS2D7N06M7
$0 $/ピース
BUK9612-55B,118
BUK9612-55B,118
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。