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IXFN82N60P

IXFN82N60P

IXFN82N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B

compliant

IXFN82N60P 価格と注文

単価 外貨価格
1 $29.04000 $29.04
10 $26.86200 $268.62
30 $24.68400 $740.52
100 $22.94160 $2294.16
250 $21.05400 $5263.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 72A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 75mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 8mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 23000 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1040W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
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関連部品番号

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IRF710SPBF
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